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filgen鋨等離子體鍍膜機(jī)的導(dǎo)電超薄膜形成機(jī)理

  • 發(fā)布日期:2024-12-25      瀏覽次數(shù):354
    • filgen鋨等離子體鍍膜機(jī)的導(dǎo)電超薄膜形成機(jī)理

      這是一種主要用于SEM樣品的導(dǎo)電性薄膜的制造裝置,采用“利用直流輝光放電的負(fù)輝光相區(qū)域的等離子膜制造方法”。

      導(dǎo)電超薄膜形成機(jī)理
      標(biāo)準(zhǔn)型可選配導(dǎo)電超薄膜形成機(jī)構(gòu)。
      此外,它可以作為選項(xiàng)安裝在您已經(jīng)使用的設(shè)備(兼容型號(hào))上。
      僅低電流法、僅混合氣體法、低電流法+混合氣體法均可作為選項(xiàng)安裝。
      導(dǎo)電超薄膜機(jī)構(gòu)(混合氣體法)和親水處理機(jī)構(gòu)不能同時(shí)安裝。
      此外,主機(jī)的外部尺寸和重量將根據(jù)安裝的選件而變化。

      此外,關(guān)于這種導(dǎo)電超薄膜機(jī)制,我們已經(jīng)獲得了使用鋨等離子體鍍膜機(jī)的成膜方法的。
      名稱:導(dǎo)電超薄膜機(jī)構(gòu)(低電流法)
      號(hào):第5419723號(hào)
      發(fā)明名稱:導(dǎo)電薄膜的等離子體沉積方法
       

      [抑制影響超薄膜厚度再現(xiàn)性的浪涌電流的影響]

      放電開始時(shí),會(huì)產(chǎn)生超過穩(wěn)定電流的大量浪涌電流。這種浪涌電流的發(fā)生很難預(yù)測(cè),而最大限度地避免這些影響是提高3.0 nm以下超薄膜厚度再現(xiàn)性的關(guān)鍵。
       

      Philgen的導(dǎo)電超薄膜沉積機(jī)制
      從沒有電流流動(dòng)的真空狀態(tài)施加放電電壓,逐漸增加OsO4氣體的量,并在監(jiān)控放電電流的同時(shí)控制放電時(shí)間,以減少浪涌電流的影響,從而實(shí)現(xiàn)了最小化。超薄膜的膜厚再現(xiàn)性高。


      (標(biāo)準(zhǔn)型與導(dǎo)電性超薄膜形成機(jī)理的比較)
      - 標(biāo)準(zhǔn)型 導(dǎo)電超薄膜形成機(jī)理
      最小膜厚設(shè)定值 1納米 0.1納米
      按下啟動(dòng)開關(guān)后的流程 OsO4氣體介紹 從沒有放電電流流過的真空狀態(tài)施加電壓
      氣體導(dǎo)入量控制 逐漸增加OsO4氣體的量
      放電開始 放電電流根據(jù)氣體量逐漸增加。
      出院結(jié)束 出院結(jié)束
       


      “低電流法+混合氣體法”與“低電流法”安裝方式比較

       

       
      OPC80T-LM
      (低電流法+混合氣體法)
      OPC80T-L
      (低電流法)
      該類型在傳統(tǒng)鋨等離子體鍍膜機(jī)(OPC80T)的基礎(chǔ)上增加了低電流法/混合氣體法
      。 可以以良好的再現(xiàn)性形成約0.5至3nm的超薄鋨膜。
      您也可以使用標(biāo)準(zhǔn)類型的膜。 點(diǎn)擊此處查看

      超薄鋨膜-等離子體聚合膜的截面TEM圖像

      該類型在傳統(tǒng)鋨等離子體鍍膜機(jī) (OPC80T) 的基礎(chǔ)上增加了低電流方法
      。 可以以良好的再現(xiàn)性形成約0.5至3nm的超薄鋨膜。
      您也可以使用標(biāo)準(zhǔn)類型的膜。 點(diǎn)擊此處查看

      超薄鋨膜-等離子體聚合膜的截面TEM圖像



      低電流法和混合氣體法

       

       
      ●低電流法 該方法從OsO4氣體濃度低至足以防止輝光放電開始的高真空狀態(tài)施加電壓,并以低放電電流形成膜。這通過防止在放電初始階段流過大電流來提高再現(xiàn)性。
      ●混合氣體法 通過在OsO 4 氣體中混入惰性氣體,OsO 4 氣體濃度降低,成膜速度降低,控制變得容易。由于可以僅使用惰性氣體進(jìn)行放電,因此可以擴(kuò)展到蝕刻等。

       

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